剩余電壓測試儀利用PN結或肖特基勢壘在反向偏壓時的電容特性，可以獲得材料中雜質濃度及其分布的信息，這類測量成為C-V測量技術。這種測量可以提供材料橫截面均勻性及縱向雜質濃度的分布信息。組成半導體器件的基本結構的PN結具有電容效應(勢壘電容)，加正向偏壓時，PN結勢壘區(qū)變窄，勢壘電容變大；加反向偏壓時，PN結勢壘區(qū)變寬，勢壘電容變小。
 

　　電流電壓測量方法，它用微處理器通過8次電壓測量來計算每次測量后要求的參數值。用一個相敏檢波器和模數轉換器順序快速完成電壓測量。正交測量通過交換測量信號的相位來進行，而不是參考相位檢測。因而不需要精密的模擬相位轉換成電壓矩形波電路。通過從同一個高頻信號源形成測試信號和參考信號，來保證正確的相位關系。由微處理器根據已知的頻率和測試信號相位，用ROM存儲器內的程序和所存儲的按鍵選擇來控制測量順序，以及存儲在RAM中的校準數據來計算被測元件數值。
 

　　剩余電壓測試儀性能特點：
 

　　⑴設備電源電壓為峰值時斷電測試，保證了測試數據的準確性和一致性；
 

　　⑵測試阻抗≥1000MΩ,滿足L-E極間和可觸及電容器剩余電壓和能量測試的阻抗要求；
 

　　⑶多形式的測試功能。
 

　　A.各電源插腳之間剩余電壓；
 

　　B.每一電源插腳與設備外殼之間的剩余電壓；
 

　　C.設備外部可觸及電容器剩余電壓和能量測試；
 

　　⑷手動/自動轉換測試。即可以手動進行極間的分相測試，每2極間測試10次；也可以進行自動測試，完成三極間相互組合的測試，每種組合分別測試10次；
 

　　⑸自動保持最大測試電壓值，測試剩余電壓超過60/34V自動報警。